邓文
,
祝莹莹
,
周银娥
,
黄宇阳
,
曹名洲
,
熊良钺
稀有金属材料与工程
测量了Ti50Al50,Ti50Al48V2,Ti50Al48Ag2合金和充分退火的Ti,Al,Ag,V金属的正电子寿命谱,利用正电子寿命参数分别计算了合金基体和缺陷态的自由电子密度.TiAl合金的脆性与其基体和晶界缺陷处的自由电子密度较低有关.在富Ti的TiAl合金中加入V,V原子比Al和Ti原子能提供较多的自由电子参与形成金属键,因而提高了合金基体和晶界缺陷处的自由电子密度;在TiAl合金中加入Ag也有类似的效应.在TiAl合金中加入V和Ag,有利于提高合金的韧性.
关键词:
TiAl合金
,
电子密度
,
缺陷
,
正电子湮没
吕连灏
,
陈敬超
,
王鹏
贵金属
采用基于密度泛函理论的第一性原理方法对铱、铜、硅、金的力学性质、电子结构等进行了计算分析。铱的塑性和非金属硅非常相似，和同为 fcc 结构的铜和金相差很大。计算了铱低指数晶面的派纳力和其电子密度分布，铱的电子结构复杂，存在各向异性，以致不同晶面派纳力差别很大，容易造成位错塞积。金和铜的电子云分布均匀，而铱和硅的电子云极化严重，这使得其塑性变形非常困难。
关键词:
金属材料
,
铱
,
机械性能
,
电子密度
,
派纳力
韩丽芳
,
王昊
,
徐守磊
,
陈玉辉
,
雷镇全
,
邓文
材料导报
测量了ZnO-TiO2和ZnO-CuO导电陶瓷的正电子寿命谱及其电阻率,研究了TiO2和CuO掺杂对ZnO陶瓷中电子密度和电阻率的影响.结果表明:在ZnO中加入少量的TiO2,随着ZnO陶瓷中TiO2含量的增加,样品中的自由电子密度升高,电阻率降低;在ZnO中加入少量的CuO,随着ZnO陶瓷中CuO含量的增加,样品中的自由电子密度降低,电阻率升高.
关键词:
ZnO导电陶瓷
,
TiO2掺杂
,
CuO掺杂
,
电子密度
,
电阻率
胡益丰
,
邓文
稀有金属材料与工程
用正电子寿命谱测量方法研究了5种不同化学成分的近等原子比NiTi合金中的微观缺陷和自由电子密度.结果表明,当Ni原子和Ti原子形成NiTi合金时部分3d电子被局域化而形成共价键,导致合金中参与形成金属键的自由电子减少.近等原子比的NiTi合金中的基体和缺陷处的自由电子浓度均随Ni含量的增加而改变,并且当Ni含量为51 at％时达到最大值.研究还发现Ni51Ti49合金含有最少的缺陷,从而有助于马氏体相变的发生,这可能成为Ni51Ti49合金具有最好的形状记忆效应的一个原因.
关键词:
NiTi合金
,
微观缺陷
,
电子密度
,
形状记忆效应
杜传梅
,
张明旭
,
庞建勇
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2013.03.002
在大气环境下利用脉冲Nd:YAG激光532 nm输出烧蚀Ni靶,产生了激光等离子体.在350～600 nm波长范围内测定了激光诱导等离子体中Ni原子的空间分辨发射光谱.得到了385.83 nm发射光谱线的Stark展宽及其随径向的变化特性.由发射光谱线的强度和Stark展宽计算了等离子体电子密度,并讨论了激光等离子体的空间演化特性.结果表明,在沿激光束方向上,当距离靶表面0～2.5 mm范围内变化时,谱线的Stark展宽、线移和电子密度都随距靶面距离的增大而先增大,在离靶面约1.25 mm处时达到最大值,之后随距离的进一步增大而减小；电子密度在0.1～3.0×1016 cm-3范围内变化.
关键词:
激光物理
,
激光诱导Ni等离子体空间分辨谱
,
斯塔克展宽
,
电子密度
任凤章
,
殷立涛
,
王姗姗
,
熊毅
,
A.A.VOLINSKY
,
田保红
,
魏世忠
中国有色金属学报(英文版)
doi:10.1016/S1003-6326(16)64331-5
用电镀方法在Fe、Ni和Ag基体上沉积Cu膜，在Fe和Ag基体上沉积Ni膜，在Cu基体上沉积Ag膜，在Fe基体沉积Cr膜，以及在Ag基体上沉积Ag 膜，在Ni基体上沉积Ni膜和在Cu基体上沉积Cu膜。采用悬臂梁法原位测量了除Cr膜外其他薄膜的平均内应力。结果表明，薄膜和基体为异种材料时薄膜内界面应力很大，而为同种材料时界面应力为零。由悬臂梁的弯曲方向得到的界面应力的性质与由改进的 Thomas?Fermi?Dirac 电子理论得到的结果一致。
关键词:
金属薄膜
,
沉积
,
界面
,
内应力
,
电子密度
